电子雷管点火控制ASIC 2.0芯片（内部代号JQ2012）于2023年一季度研发成功并在市场中推广，其性能深受客户认可、广获业内好评。

 JQ2012芯片优化升级的主要功能包括：

（1）功耗改进

功耗是电子雷管芯片的核心性能参数，功耗越低，电子雷管芯片组网能力越强。经测试，JQ2012实测功耗10.5uA，比JQ2010C芯片（18-19uA）降低了40%以上。

（2）优化高温适应性

JQ2012芯片优化了系统架构，改进了部分元器件尺寸，改进了元器件布局。经测试，在85℃温度下，放置4小时仍可以可靠点火。

（3）通信问题改进

JQ2012芯片优化了指令接收单元，减少总线毛刺对通信的影响，降低现场出现通信问题的概率。经测试，芯片解决了困扰行业的不合规母线应用场景，如铝线、铁线、电缆线等平行线母线，达到国内领先水平。

（4）抗静电性能提升

JQ2012芯片优化了内部大电流路径，调整了芯片充电引脚和高压电源引脚的数序。经测试，优化使得抗静电能力更加稳定均衡，使芯片在井下小断面金属矿等应用场景的拒爆率进一步降低。

（5）充电电流调整

JQ2012芯片为适应更多的模块同时充电，降低了最大充电电流值到0.8mA，这样可以降低充电瞬间芯片复位的风险，同时可以多颗芯片同时充电，减少充电时间。经测试，芯片能兼容30uF至300uF的电容选型，大大扩充了客户模块产品的开发空间，降低了客户多产品线的生产成本。

（6）充电查询DAC调整

JQ2012芯片调整了DAC设置为0-5对应的查询电压值，可以降低芯片生产阶段的检测时间。经测试，芯片最低的检测电压降低了2.63V，缩短了检测时间，提升了检测效率。在生产阶段检测更加完善，能有更多的设计空间，进一步降低了客户生产过程的成本。

（7）桥丝检测功能升级

JQ2012芯片优化了桥丝检测电路，可以快速对桥丝通断进行检测，对生产速度的提高有帮助。桥丝检测电路还可以用于对储能电容的快速放电，降低现场的安全风险。经测试，JQ2012芯片对换能元件部分损坏，药头弱导电等情形的识别能力进一步加强，对客户模块产品的可靠性进一步提升。